| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Капилляры для ультразвуковой сварки. Конструкция и основные размеры
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Капилляры для ультразвуковой и термокомпрессивной сварки. Конструкция и основные размеры
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Электроды для сварки косвенным импульсным нагревом. Конструкция и основные размеры
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Электроды для односторонней контактной сварки. Конструкция и основные размеры
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Инструмент для монтажа кристаллов. Конструкция
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Шаблоны рабочие. Технические условия
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Методы анализа электродных сплавов. Общие технические требования
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Сплавы электродные. Требования к пробам, поступающим на анализ
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Структуры кремниевые эпитаксиальные.Определение плотности дефектов упаковки и плотности дислокаций в эпитаксиальных слоях толщиной более 2,5 мкм
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые. Метод анализа элементного состава поверхности полупроводниковых пластин с помощью электронной ОЖЕ-спектроскопии
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Структуры фосфида-арсенида галлия. Определение длины волны фотолюминесценции
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Фосфид галлия и арсенид галлия. Спектральный метод определения содержания примесей
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Измерение толщины пленок поликристаллического кремния на окисленной кремниевой подложке
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Пластины кремниевые. Параметры и размеры
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Структуры кремниевые и арсенид-галлиевые эпитаксиальные. Измерение толщины тонких эпитаксиальных слоев методом ИК-эллипсометрии
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Пластины маскированные для фотошаблонов. Термины и определения
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Структуры эпитаксиальные и пленки диэлектрические. Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев кремния в структурах типа кремний на сапфире (КНС) на основе ИК-интерференции
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Структуры кремниевые эпитаксиальные со скрытым слоем. Правила приемки
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Устройства организации комплексов оптоэлектронных локальных сетей. Термины и определения
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|
Устройства организации комплексов оптоэлектронных локальных сетей. Система параметров
|
|
|
Неактуализированная версия
|
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
| Страницы: ... / 42 / 43 / 44 / 45 / 46 / 47 / 48 / 49 / 50 / 51 / 52 / 53 / 54 / 55 ... / 95 |