 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001) |  на печать | | Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Изменение 1 |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001) | | Заглавие на русском языке | Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Изменение 1 | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs). Amendment 1 | | МКС | 31.080.30 | | Вид стандарта | ST | | Обозначение заменяющего | IEC 60747-9(2007) | | Обозначение заменяемого в части | IEC 60747-9(1998) | | Дата опубликования | 01.08.2001 | | Язык оригинала | английский;французский | | Количество страниц оригинала | 79 | | ТК – разработчик стандарта | SC 47E | | Номер издания | 1.0 | | Статус | Заменен | | Код цены | | |
| | Стандарт IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001) входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
Нет
|
|
|
|