 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 60747-8-1(1987) |  на печать | | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий: полевые транзисторы с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 ГГц |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 60747-8-1(1987) | | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий: полевые транзисторы с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 ГГц | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Discret devices. Part 8: Field-effect transistors. Blank detail specification for single-gate field-effect transistors, up to 5 W and 1 GHz | | МКС | 31.080.30 | | Вид стандарта | ST*N | | Дескрипторы (английский язык) | ASSESSMENT LEVEL*BARRIERS LAYERS*COMPONENTS*DEFINITIONS*DETAIL SPECIFICATION*ELECTRICAL ENGINEERING*ELECTRONIC ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*INSPECTION*INTEGRATED CIRCUITS*LIMITS (MATHEMATICS)*MARKING*MEASUREMENT*MEASURING TECHNIQUES*MECHANICAL PROPERTIES*PROPERTIES*QUALITY ASSESSMENT PROCEDURES*QUALITY ASSESSMENT SYSTEMS*RATINGS*SEMICONDUCTOR DEVICES*SEMICONDUCTORS*SPECIFICATION (APPROVAL)*SYMBOLS*TRANSISTORS*SPECIFICATIONS*ELECTRONIC EQU*MATHEMATICS | | Дата опубликования | 01.01.1987 | | Язык оригинала | английский;французский | | Количество страниц оригинала | 38 | | ТК – разработчик стандарта | SC 47E | | Номер издания | 1.0 | | Статус | Отменен | | Код цены | | |
| | Стандарт IEC 60747-8-1(1987) входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
Нет
|
|
|
|