 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 60747-8-3(1995) |  на печать | | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы с оговоренной температурой корпуса, применяемые для коммутации |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 60747-8-3(1995) | | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы с оговоренной температурой корпуса, применяемые для коммутации | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field-effect transistors for switching applications | | МКС | 31.080.30 | | Вид стандарта | ST*N | | Дескрипторы (английский язык) | DETAIL SPECIFICATION*DISCRETE DEVICES*ELECTRICAL ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*SEMICONDUCTOR DEVICES*SPECIFICATION*TRANSISTORS*ELECTRONIC EQU | | Обозначение заменяемого(ых) | IEC/DIS 47(Central Office)1350(1993.01) | | Обозначение заменяющего | IEC 60747-8(2010) | | Дата опубликования | 01.04.1995 | | Язык оригинала | английский;французский | | Количество страниц оригинала | 40 | | ТК – разработчик стандарта | SC 47E | | Номер издания | 1.0 | | Статус | Заменен | | Код цены | | |
| | Стандарт IEC 60747-8-3(1995) входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
Нет
|
|
|
|