 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 60747-8-2(1993) |  на печать | | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы для усилителей мощности с определенными параметрами корпуса |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 60747-8-2(1993) | | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы для усилителей мощности с определенными параметрами корпуса | | Заглавие на английском языке | Semicoductor devices; discrete devices; part 8: field-effect transistors; section 2: blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications | | МКС | 31.080.30 | | Вид стандарта | ST*N | | Дескрипторы (английский язык) | BLANK FORMS*DETAIL SPECIFICATION*ELECTRONIC ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*FIELD EFFECT TRANSISTORS*POWER AMPLIFIERS*SEMICONDUCTOR DEVICES*TRANSISTORS*ELECTRONIC EQU*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS | | Обозначение заменяющего | IEC 60747-8(2010) | | Дата опубликования | 01.02.1993 | | Язык оригинала | английский;французский | | Количество страниц оригинала | 38 | | ТК – разработчик стандарта | SC 47E | | Номер издания | 1.0 | | Статус | Заменен | | Код цены | | |
| | Стандарт IEC 60747-8-2(1993) входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
Нет
|
|
|
|