 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
DIN 50454-1-1991 |  на печать | | Монокристаллы арсенида галлия 3-5- сложных полупроводников. Определение дислокационной ямки травления |
|
| | Библиография | Обозначение | DIN 50454-1-1991 | | Заглавие на русском языке | Монокристаллы арсенида галлия 3-5- сложных полупроводников. Определение дислокационной ямки травления | | Заглавие на английском языке | Testing of materials for semiconductor technology; determination of the dislocations etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors; galliumarsenide | | Дата опубликования | 01.11.1991 | | МКС | 29.045 | | Вид стандарта | ST*N | | Обозначение заменяющего | DIN 50454-1-2000 | | Язык оригинала | немецкий | | Количество страниц оригинала | 4 | | Перекрестные ссылки | DIN 4768*DIN 50433-1*DIN 50442-1 | | Код цены | Preisgruppe 5 | |
| | Стандарт DIN 50454-1-1991 входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|