 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 60749-19(2003)/Amd.1(2010) |  на печать | | Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг. Изменение 1 |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 60749-19(2003)/Amd.1(2010) | | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг. Изменение 1 | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength. Amendment 1 | | МКС | 31.080.01 | | Вид стандарта | ST | | Обозначение заменяемого в части | IEC 60749-19(2003) | | Дата опубликования | 28.07.2010 | | Язык оригинала | английский;французский | | Количество страниц оригинала | 8 | | ТК – разработчик стандарта | TC 47 | | Номер издания | 1.0 | | Статус | Действует | | Код цены | A | |
| | Стандарт IEC 60749-19(2003)/Amd.1(2010) входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
1872,00
|
|
|
|