 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
OVE/ONORM EN 60749-19:2011 03 01 | на печать | Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг |
|
|  | Библиография Обозначение | OVE/ONORM EN 60749-19:2011 03 01 | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength (IEC 60749-19:2003 + A1:2010) (english version) | Код МКС | 31.080.01 | Дата опубликования | 01.03.2011 | Язык оригинала | английский |  |
|  | Стандарт OVE/ONORM EN 60749-19:2011 03 01 входит в рубрики классификатора:
| |
|  |
|
 |
 |
Цены |
На английском языке |
0,00
|
|
|