 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 63068-3(2020) |  на печать | | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 63068-3(2020) | | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence | | МКС | 31.080.99 | | Вид стандарта | ST | | Дата опубликования | 13.07.2020 | | Язык оригинала | английский;французский | | Количество страниц оригинала | 51 | | ТК – разработчик стандарта | TC 47 | | Номер издания | 1.0 | | Статус | Действует | | Код цены | G | |
| | Стандарт IEC 63068-3(2020) входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
37440,00
|
|
|
|