 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 62373-1(2020) |  на печать | | Приборы полупроводниковые. Испытание на стабильность при отклонении температуры полевых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Часть 1. Ускоренное BTI испытание для MOSFET |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 62373-1(2020) | | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Испытание на стабильность при отклонении температуры полевых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Часть 1. Ускоренное BTI испытание для MOSFET | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET | | МКС | 31.080.30 | | Вид стандарта | ST | | Дата опубликования | 15.07.2020 | | Язык оригинала | английский;французский | | Количество страниц оригинала | 44 | | ТК – разработчик стандарта | TC 47 | | Номер издания | 1.0 | | Статус | Действует | | Код цены | F | |
| | Стандарт IEC 62373-1(2020) входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
25110,00
|
|
|
|