|
|
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
GB/T 14847-2010 | на печать | Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance |
|
| | Библиография Обозначение | GB/T 14847-2010 | Заглавие на английском языке | Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance | Дата опубликования | 2011-01-10 | Дата вступления в силу | 2011-10-01 | Код МКС | 29.045 | Обозначение заменяемого(ых) | GB/T 14847-1993 | Степень гармонизации | | Количество страниц оригинала | 12 | Статус | Published | Тип стандарта | voluntary national standard | Язык оригинала | Chinese | Доступные языки | | Имя файла | | CCS Code | H80 | |
| | Стандарт GB/T 14847-2010 входит в рубрики классификатора:
| |
| |
|
|
|
Цены |
На языке оригинала |
1058,00
|
|
|