 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
KS C IEC 60747-9 |  на печать | | Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors(IGBTs) |
|
| | Библиография | Обозначение | KS C IEC 60747-9 | | Международный стандарт | IEC 60747-9:2019(IDT) | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors(IGBTs) | | Дата опубликования | 2024.06.07 | | Код МКС | 31.080.01,31.080.30 | |
| | Стандарт KS C IEC 60747-9 входит в рубрики классификатора:
| | | | | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|