 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
GB/T 24580-2009 |  на печать | | Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry |
|
| | Библиография | Обозначение | GB/T 24580-2009 | | Заглавие на английском языке | Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry | | Дата опубликования | 2009-10-30 | | Дата вступления в силу | 2010-06-01 | | Код МКС | 29.045 | | Разработан на основе | SEMI MF 1528-1104 | | Степень гармонизации | MOD | | Количество страниц оригинала | 12 | | Статус | Published | | Тип стандарта | voluntary national standard | | Язык оригинала | Chinese | | Доступные языки | | | Имя файла | | | GPQ | H80 | |
| | Стандарт GB/T 24580-2009 входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
1670,00
|
|
|
|