 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
GB/T 33657-2017 |  на печать | | Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells |
|
| | Библиография | Обозначение | GB/T 33657-2017 | | Заглавие на английском языке | Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells | | Дата опубликования | 2017-05-12 | | Дата вступления в силу | 2017-12-01 | | Код МКС | 31.200 | | Степень гармонизации | | | Количество страниц оригинала | 16 | | Статус | Published | | Тип стандарта | voluntary national standard | | Язык оригинала | Chinese | | Доступные языки | | | Имя файла | | | CCS Code | L56 | |
| | Стандарт GB/T 33657-2017 входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
2131,00
|
|
|
|