 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
GB/T 41751-2022 |  на печать | | Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers |
|
| | Библиография | Обозначение | GB/T 41751-2022 | | Заглавие на английском языке | Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers | | Дата опубликования | 2022-10-12 | | Дата вступления в силу | 2023-02-01 | | Код МКС | 77.040 | | Степень гармонизации | | | Количество страниц оригинала | 12 | | Статус | Published | | Тип стандарта | voluntary national standard | | Язык оригинала | Chinese | | Доступные языки | | | Имя файла | | | CCS Code | H21 | |
| | Стандарт GB/T 41751-2022 входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
1670,00
|
|
|
|