 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
KS C IEC 63068-4 |  на печать | | Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence |
|
| | Библиография | Обозначение | KS C IEC 63068-4 | | Международный стандарт | IEC 63068-4:2022(IDT) | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence | | Дата опубликования | 2025.01.31 | | Код МКС | 31.080.99 | |
| | Стандарт KS C IEC 63068-4 входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|