 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
GB/T 43493.3-2023 |  на печать | | Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence |
|
| | Библиография | Обозначение | GB/T 43493.3-2023 | | Заглавие на английском языке | Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence | | Дата опубликования | 2023-12-28 | | Дата вступления в силу | 2024-07-01 | | Код МКС | 31.080.99 | | Разработан на основе | IEC 63068-3:2020 | | Степень гармонизации | IDT | | Количество страниц оригинала | 24 | | Статус | Published | | Тип стандарта | voluntary national standard | | Язык оригинала | Chinese | | Доступные языки | | | Имя файла | | | GPQ | L90 | |
| | Стандарт GB/T 43493.3-2023 входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
1858,00
|
|
|
|