| Обозначение | IEC 60749-19(2003) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength |
| МКС | 31.080.01 |
| Вид стандарта | ST |
| Обозначение заменяемого(ых) | IEC 60749(1996) в части, IEC 60749(1996)/Amd.1(2000) в части, IEC 60749(1996)/Amd.2(2001) в части, IEC 60749(2002) в части |
| Обозначение заменяющего в части | IEC 60749-19(2003)/Amd.1(2010) |
| Дата опубликования | 14.02.2003 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 14 |
| ТК – разработчик стандарта | TC 47 |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Действует |
| Код цены | B |
 |