| Обозначение | IEC 60747-4(1991)/Amd.1(1993) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4: СВЧ-диоды и транзисторы. Изменение 1 |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices; discrete devices; part 4: microwave diodes and transistors; amendment 1 |
| МКС | 31.080.10; 31.080.30 |
| Вид стандарта | ST*N |
| Дескрипторы (английский язык) | ELECTRICAL ENGINEERING*FIELD EFFECT TRANSISTORS*GUNN DIODES*METHODS FOR MEASURING*MICROWAVE TUBES*MICROWAVES*SCHOTTKY*SEMICONDUCTOR DEVICES*SEMICONDUCTOR DIODES*TRANSISTORS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*SOLID STATE DIODES*ELECTRON TUBES |
| Обозначение заменяемого(ых) | IEC/DIS 47(Central Office)1251(1991.09)*IEC/DIS 47(Central Office)1280(1991.08)*IEC/DIS 47(Central Office)1290(1991.07) |
| Обозначение заменяющего | IEC 60747-4(2007) |
| Обозначение заменяемого в части | IEC 60747-4(1991.04) |
| Дата опубликования | 01.10.1993 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 52 |
| ТК – разработчик стандарта | SC 47E |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Заменен |
| Код цены | |
 |