GB/T 14142-2017 | | | Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique |
|
|
 |
Библиография | Обозначение | GB/T 14142-2017 | | Заглавие на английском языке | Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique | | Дата опубликования | 2017-09-29 | | Дата вступления в силу | 2018-04-01 | | Код МКС | 77.040 | | Обозначение заменяемого(ых) | GB/T 14142-1993 | | Степень гармонизации | | | Количество страниц оригинала | 12 | | Статус | Published | | Тип стандарта | voluntary national standard | | Язык оригинала | Chinese | | Доступные языки | | | Имя файла | | | GPQ | H25 | |
|
|
Стандарт GB/T 14142-2017 входит в рубрики классификатора:
| | |
|