| Обозначение | GB/T 14847-2010 |
| Заглавие на английском языке | Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance |
| Дата опубликования | 2011-01-10 |
| Дата вступления в силу | 2011-10-01 |
| Код МКС | 29.045 |
| Обозначение заменяемого(ых) | GB/T 14847-1993 |
| Степень гармонизации | |
| Количество страниц оригинала | 12 |
| Статус | Published |
| Тип стандарта | voluntary national standard |
| Язык оригинала | Chinese |
| Доступные языки | |
| Имя файла | |
| GPQ | H80 |
 |