| Обозначение | GB/T 6590-1998 |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)пјЊambient or case-ratedпјЊup to 100A |
| Дата опубликования | 1998-11-17 |
| Дата вступления в силу | 1999-06-01 |
| Код МКС | 31.080.20 |
| Обозначение заменяемого(ых) | GB 6590-1986 |
| Разработан на основе | IEC 747-6-2:1991
QC 750111 |
| Степень гармонизации | IDT |
| Количество страниц оригинала | 16 |
| Статус | Published |
| Тип стандарта | voluntary national standard |
| Язык оригинала | Chinese |
| Доступные языки | |
| Имя файла | |
| GPQ | L43 |
 |