GB/T 33657-2017 | | | Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells |
|
|
 |
Библиография | Обозначение | GB/T 33657-2017 | | Заглавие на английском языке | Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells | | Дата опубликования | 2017-05-12 | | Дата вступления в силу | 2017-12-01 | | Код МКС | 31.200 | | Степень гармонизации | | | Количество страниц оригинала | 16 | | Статус | Published | | Тип стандарта | voluntary national standard | | Язык оригинала | Chinese | | Доступные языки | | | Имя файла | | | GPQ | L56 | |
|
|
Стандарт GB/T 33657-2017 входит в рубрики классификатора:
| | |
|