GB/T 45716-2025 | | | Semiconductor devices-Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) |
|
|
 |
Библиография | Обозначение | GB/T 45716-2025 | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices-Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) | | Дата опубликования | 2025-05-30 | | Дата вступления в силу | 2025-09-01 | | Код МКС | 31.080.01 | | Разработан на основе | IEC 62373:2006 | | Степень гармонизации | IDT | | Количество страниц оригинала | 16 | | Статус | Published | | Тип стандарта | voluntary national standard | | Язык оригинала | Chinese | | Доступные языки | | | Имя файла | | | GPQ | L40 | |
|
|
Стандарт GB/T 45716-2025 входит в рубрики классификатора:
| | |
|