 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 60747-9(2007) |  на печать | | Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 60747-9(2007) | | Заглавие на русском языке | Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) | | МКС | 31.080.30, 31.080.01 | | Вид стандарта | ST | | Обозначение заменяемого(ых) | IEC 60747-9(1998), IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001), IEC 60747-9(2001) | | Обозначение заменяющего | IEC 60747-9(2019) | | Дата опубликования | 27.09.2007 | | Язык оригинала | английский;французский | | Количество страниц оригинала | 122 | | ТК – разработчик стандарта | SC 47E | | Номер издания | 2.0 | | Статус | Заменен | | Код цены | K | |
| | Стандарт IEC 60747-9(2007) входит в рубрики классификатора:
| | | | | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
Нет
|
|
|
|