| Обозначение | IEC 60747-9(2007) |
| Заглавие на русском языке | Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) |
| МКС | 31.080.30, 31.080.01 |
| Вид стандарта | ST |
| Обозначение заменяемого(ых) | IEC 60747-9(1998), IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001), IEC 60747-9(2001) |
| Обозначение заменяющего | IEC 60747-9(2019) |
| Дата опубликования | 27.09.2007 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 122 |
| ТК – разработчик стандарта | SC 47E |
| Номер издания | 2.0 |
| Статус | Заменен |
| Код цены | K |
 |