 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
DIN 50439-1982 |  на печать | | Материалы полупроводниковые на основе кремния или арсения-галия. Определение профиля концентраций примесей методом напряжения на емкости и ртутного контакта |
|
| | Библиография | Обозначение | DIN 50439-1982 | | Заглавие на русском языке | Материалы полупроводниковые на основе кремния или арсения-галия. Определение профиля концентраций примесей методом напряжения на емкости и ртутного контакта | | Заглавие на английском языке | Testing of materials for semiconductor technology; determination of the dopant concentration profile of single crystalline semiconductor material by means of the capacitancevoltage method and mercury contact | | Дата опубликования | 01.10.1982 | | МКС | 29.045 | | Вид стандарта | ST | | Обозначение заменяемого(ых) | DIN 50439(1980-02) | | Язык оригинала | немецкий | | Количество страниц оригинала | 6 | | Перекрестные ссылки | Merkblatt uber das Arbeiten mit atzenden Stoffen*Merkblatt zur Verhutung von Gesundheitsschadigungen durch Quecksilber und seine Verbindungen | | Код цены | Preisgruppe 6 | |
| | Стандарт DIN 50439-1982 входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|