| Обозначение | DIN 50439-1982 |
| Заглавие на русском языке | Материалы полупроводниковые на основе кремния или арсения-галия. Определение профиля концентраций примесей методом напряжения на емкости и ртутного контакта |
| Заглавие на английском языке | Testing of materials for semiconductor technology; determination of the dopant concentration profile of single crystalline semiconductor material by means of the capacitancevoltage method and mercury contact |
| Дата опубликования | 01.10.1982 |
| МКС | 29.045 |
| Вид стандарта | ST |
| Обозначение заменяемого(ых) | DIN 50439(1980-02) |
| Язык оригинала | немецкий |
| Количество страниц оригинала | 6 |
| Перекрестные ссылки | Merkblatt uber das Arbeiten mit atzenden Stoffen*Merkblatt zur Verhutung von Gesundheitsschadigungen durch Quecksilber und seine Verbindungen |
| Код цены | Preisgruppe 6 |
 |