 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 63068-2(2019) |  на печать | | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 2. Метод определения дефектов с помощью оптического неразрушающего контроля |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 63068-2(2019) | | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 2. Метод определения дефектов с помощью оптического неразрушающего контроля | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection | | МКС | 31.080.99 | | Вид стандарта | ST | | Дата опубликования | 30.01.2019 | | Язык оригинала | английский | | Количество страниц оригинала | 25 | | ТК – разработчик стандарта | TC 47 | | Номер издания | 1.0 | | Статус | Действует | | Код цены | F | |
| | Стандарт IEC 63068-2(2019) входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
25110,00
|
|
|
|