| Обозначение | IEC 63068-2(2019) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 2. Метод определения дефектов с помощью оптического неразрушающего контроля |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection |
| МКС | 31.080.99 |
| Вид стандарта | ST |
| Дата опубликования | 30.01.2019 |
| Язык оригинала | английский |
| Количество страниц оригинала | 25 |
| ТК – разработчик стандарта | TC 47 |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Действует |
| Код цены | F |
 |