 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 60747-9(2019) |  на печать | | Приборы полупроводниковые. Часть 9. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 60747-9(2019) | | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Часть 9. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) | | МКС | 31.080.01; 31.080.30 | | Вид стандарта | ST | | Обозначение заменяемого(ых) | IEC 60747-9(2007) | | Дата опубликования | 13.11.2019 | | Язык оригинала | английский;французский | | Количество страниц оригинала | 164 | | ТК – разработчик стандарта | TC 47/SC 47E | | Номер издания | 3.0 | | Статус | Действует | | Код цены | L | |
| | Стандарт IEC 60747-9(2019) входит в рубрики классификатора:
| | | | | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
68328,00
|
|
|
|