| Обозначение | IEC 60747-9(2019) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Часть 9. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) |
| МКС | 31.080.01; 31.080.30 |
| Вид стандарта | ST |
| Обозначение заменяемого(ых) | IEC 60747-9(2007) |
| Дата опубликования | 13.11.2019 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 164 |
| ТК – разработчик стандарта | TC 47/SC 47E |
| Номер издания | 3.0 |
| Статус | Действует |
| Код цены | L |
 |