|
|
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 63229(2021) | на печать | Приборы полупроводниковые. Классификация дефектов в эпитаксиальной пленке из нитрида галлия на карбидокремниевой подложке |
|
| | Библиография Обозначение | IEC 63229(2021) | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Классификация дефектов в эпитаксиальной пленке из нитрида галлия на карбидокремниевой подложке | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate | МКС | 31.080.99 | Вид стандарта | ST | Дата опубликования | 07.04.2021 | Язык оригинала | английский | Количество страниц оригинала | 21 | ТК – разработчик стандарта | TC 47 | Номер издания | 1.0 | Статус | Действует | Код цены | F | |
| | Стандарт IEC 63229(2021) входит в рубрики классификатора:
| |
| |
|
|
|
Цены |
На языке оригинала |
26100,00
|
|
|