| Обозначение | IEC 63229(2021) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Классификация дефектов в эпитаксиальной пленке из нитрида галлия на карбидокремниевой подложке |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate |
| МКС | 31.080.99 |
| Вид стандарта | ST |
| Дата опубликования | 07.04.2021 |
| Язык оригинала | английский |
| Количество страниц оригинала | 21 |
| ТК – разработчик стандарта | TC 47 |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Действует |
| Код цены | F |
 |