 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 63068-4(2022) |  на печать | | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 4. Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптического контроля и фотолюминесценции |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 63068-4(2022) | | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 4. Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптического контроля и фотолюминесценции | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence | | МКС | 31.080.99 | | Вид стандарта | ST | | Дата опубликования | 27.07.2022 | | Язык оригинала | английский | | Количество страниц оригинала | 25 | | ТК – разработчик стандарта | TC 47 | | Номер издания | 1.0 | | Статус | Действует | | Код цены | F | |
| | Стандарт IEC 63068-4(2022) входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
29016,00
|
|
|
|