| Обозначение | IEC 63068-4(2022) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 4. Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптического контроля и фотолюминесценции |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence |
| МКС | 31.080.99 |
| Вид стандарта | ST |
| Дата опубликования | 27.07.2022 |
| Язык оригинала | английский |
| Количество страниц оригинала | 25 |
| ТК – разработчик стандарта | TC 47 |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Действует |
| Код цены | F |
 |