 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
KS C IEC 63229 | на печать | Semiconductor devices - Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate |
|
|  | Библиография Обозначение | KS C IEC 63229 | Международный стандарт | IEC 63229:2021(IDT) | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate | Дата опубликования | 2025.01.31 | Код МКС | 31.080.99 |  |
|  | Стандарт KS C IEC 63229 входит в рубрики классификатора:
| |
|  |
|
 |
 |
Цены |
На языке оригинала |
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|