GB/T 24580-2009
Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
На языке оригинала
Заказать перевод
Библиография
Обозначение
GB/T 24580-2009
Заглавие на английском языке
Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
Дата опубликования
2009-10-30
Дата вступления в силу
2010-06-01
Код МКС
29.045
Разработан на основе
SEMI MF 1528-1104
Степень гармонизации
MOD
Количество страниц оригинала
12
Статус
Published
Тип стандарта
voluntary national standard
Язык оригинала
Chinese
Доступные языки
Имя файла
GPQ
H80
Стандарт GB/T 24580-2009 входит в рубрики классификатора:
ОКС \ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА \ Полупроводниковые материалы \
Постоянная ссылка
https://www.standards.ru/document/7750075.aspx