| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Идентификация и метод определения совместимости внешних источников питания, используемых с портативными устройствами связи
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Параметры взаимодействия и метод коммуникации внешних источников питания, используемых с портативными устройствами связи
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
46800,00
|
|
|
|
Схемы интегральные. Трехмерные интегральные схемы. Часть 1. Терминология
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Схемы интегральные. Трехмерные интегральные схемы. Часть 2. Совмещение многоярусной конструкции кристаллов при монтаже методом перевернутого кристалла
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Схемы интегральные. Трехмерные интегральные схемы. Часть 3. Модель и условия измерений переходных отверстий в кремнии (TSV)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Датчики пьезоэлектрические. Часть 1. Общие технические условия
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Датчики пьезоэлектрические. Часть 1. Общие технические условия
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
37440,00
|
|
|
|
Датчики пьезоэлектрические. Часть 2. Химические и биохимические датчики
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Датчики пьезоэлектрические. Часть 3. Физические датчики
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Формат для совместимого проектирования LSI-пакета и платы
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Формат для совместимого проектирования LSI-пакета и платы
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
84240,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 1. Классификация дефектов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 2. Метод определения дефектов с помощью оптического неразрушающего контроля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
37440,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 4. Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптического контроля и фотолюминесценции
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Аппаратура приемо-передающая для радиосвязи. Технологии радио-по-волокну (radio over fibre) и их нормативные характеристики. Часть 4. Внутренняя распределенная антенная система (DAS) на основе технологии радио-по-волокну для 5G
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
21528,00
|
|
|
|
Очковые дисплеи. Часть 1-2. Общие положения. Терминология
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
21528,00
|
|
|
|
Очковые дисплеи. Часть 10. Технические условия
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
37440,00
|
|
|
|
Очки-дисплей. Часть 20-10. Основные методы измерений. Оптические свойства
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
46800,00
|
|
|
|
Очки-дисплей. Часть 20-20. Фундаментальные методы измерений. Качество изображения
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
37440,00
|
|
| Страницы: ... / 121 / 122 / 123 / 124 / 125 / 126 / 127 / 128 / 129 / 130 / 131 / 132 / 133 / 134 ... / 147 |