| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Приборы полупроводниковые. Испытание на стабильность при отклонении температуры полевых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Часть 1. Ускоренное BTI испытание для MOSFET
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB) для управляющих диэлектрических пленок
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Часть 1. Испытание на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB) для интерметаллических слоев
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Аппараты пускорегулирующие электронные с напряжением питания постоянного или переменного тока для модулей со светоизлучающими диодами. Требования к рабочим характеристикам
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Механизмы управления электронные, работающие на постоянном и переменном токе для модулей СИД (светоизлучающих диодов). Эксплуатационные требования. Изменение 1
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Аппараты пускорегулирующие электронные с напряжением питания постоянного или переменного тока для модулей со светоизлучающими диодами. Требования к рабочим характеристикам
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Аппараты пускорегулирующие электронные с напряжением питания постоянного или переменного тока для модулей со светоизлучающими диодами. Требования к рабочим характеристикам
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянного тока
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
6480,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание с барьером Шоттки на транзисторах MOS
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
6480,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытания с подвижным ионом для полупроводниковых транзисторов с полевым эффектом металл-оксид
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
3240,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Определение объема пустот при металлизации
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Требования к допустимым условиям применения нитевидных кристаллов на шероховатой отделке поверхности из олова и его сплавов на полупроводниковых приборах
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
45360,00
|
|
|
|
Испытание чувствительности к электростатическому разряду. Импульс линии передачи. Уровень компонента
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс для передачи сигнала через тело человека (HBC). Часть 1. Общие требования
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс для передачи сигнала через тело человека (HBC). Часть 2. Определение характеристик сопряжения
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс для передачи сигнала через тело человека (HBC). Часть 3. Функциональный тип и эксплуатационные условия
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс для передачи сигнала через тело человека. Часть 4. Эндоскопическая капсула
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковые приборы для сбора и выработки энергии. Часть 1. Сбор пьезоэлектрической энергии на основе вибрации
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковые приборы для сбора и выработки энергии. Часть 2. Сбор термоэлектрической энергии на основе термоэнергии
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковые приборы для сбора и выработки энергии. Часть 3. Сбор электромагнитной энергии на основе вибрации
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
| Страницы: ... / 20 / 21 / 22 / 23 / 24 / 25 / 26 / 27 / 28 / 29 / 30 / 31 / 32 / 33 |