| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы. Изменение 2
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 7. Биполярные транзисторы
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
62370,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы. Изменение 1
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
1620,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
109350,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий на биполярные транзисторы для низко- и высокочастотного усиления с определенными параметрами, рассчитанными на условия окружающей среды
|
Отменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на биполярные транзисторы для низкочастотного усиления с определенными параметрами корпуса
|
Отменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 3. Форма частных технических условий на биполярные транзисторы для переключателей
|
Отменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные приборы. Раздел 4. Форма технических условий на биполярные транзисторы для высокочастотного усиления с определенными параметрами корпуса
|
Отменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные приборы. Часть 7-5. Биполярные транзисторы для применений в силовых переключателях
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Изменение 1
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Изменение 2
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 8. Полевые транзисторы
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторы
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
59130,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторы. Изменение 1
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
6480,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторы
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
111780,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий: полевые транзисторы с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 ГГц
|
Отменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы для усилителей мощности с определенными параметрами корпуса
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы с оговоренной температурой корпуса, применяемые для коммутации
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
| Страницы: ... / 4 / 5 / 6 / 7 / 8 / 9 / 10 / 11 / 12 / 13 / 14 / 15 / 16 / 17 ... / 32 |