| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 46. Технология изготовления МЭМС на основе кремния. Метод измерения прочности на разрыв мембраны наноразмерной толщины
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 47. Технология изготовления МЭМС на основе кремния. Метод измерения прочности микроструктур на изгиб
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 48. Метод испытания для определения концентрации раствора по оптическому поглощению с использованием жидкостного устройства MEMS
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 50. Емкостные микрофоны MEMS
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 53. Электротермическое передающее устройство MEMS
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 1. Требования к поставке и использованию
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 1. Поставка и применение
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
45360,00
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 2. Форматы обмена данными
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 2. Форматы обмена данными
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
59130,00
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 5. Требования к информации, касающейся электрического моделирования
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 5. Требования к информации, касающейся электрического моделирования
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 6. Требования к информации, касающейся температурного моделирования
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
6480,00
|
|
|
|
Транзисторы со структурой металл-оксид, полупроводниковые, полевые. Испытание стабильности при отклонении температуры
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Испытание на стабильность при отклонении температуры полевых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Часть 1. Ускоренное BTI испытание для MOSFET
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB) для управляющих диэлектрических пленок
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Часть 1. Испытание на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB) для интерметаллических слоев
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Аппараты пускорегулирующие электронные с напряжением питания постоянного или переменного тока для модулей со светоизлучающими диодами. Требования к рабочим характеристикам
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Механизмы управления электронные, работающие на постоянном и переменном токе для модулей СИД (светоизлучающих диодов). Эксплуатационные требования. Изменение 1
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Аппараты пускорегулирующие электронные с напряжением питания постоянного или переменного тока для модулей со светоизлучающими диодами. Требования к рабочим характеристикам
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Аппараты пускорегулирующие электронные с напряжением питания постоянного или переменного тока для модулей со светоизлучающими диодами. Требования к рабочим характеристикам
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
| Страницы: ... / 19 / 20 / 21 / 22 / 23 / 24 / 25 / 26 / 27 / 28 / 29 / 30 / 31 / 32 |