| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Печатная электроника. Часть 503-3. Оценка качества. Метод измерения контактного сопротивления в печатных тонкопленочных транзисторах. Метод длины передачи
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 1. Метод испытания на изгиб тонких проводящих пленок на гибких подложках
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 2. Метод оценки электронной стабильности, подпороговой амплитуды и порогового напряжения гибких полупроводниковых приборов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
6480,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 3. Оценка характеристик тонкопленочных транзисторов на гибких подложках при вспучивании
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 4. Оценка усталостной прочности при изгибе тонких гибких пленок на подложках для гибких полупроводниковых приборов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 5. Метод определения тепловых характеристик гибких материалов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 6. Метод определения поверхностного сопротивления гибких проводящих пленок
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 7. Метод определения запирающего действия герметизации тонких пленок для гибких органических полупроводников
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 8. Метод определения растяжимости, гибкости и стабильности гибкой резистивной памяти
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 9. Методы определения рабочих характеристик резистивных ячеек памяти на одном транзисторе и одном резисторе (1T1R)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс автомобилей. Часть 1. Общие требования к интерфейсу электропитания для датчиков автомобиля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс автомобилей. Часть 2. Методы оценки эффективности беспроводной передачи мощности посредством резонанса для датчиков автомобиля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
6480,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс автомобилей. Часть 3. Аккумулирование пьезоэлектрической энергии, вызванное ударом, для датчиков автомобиля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс автомобилей. Часть 4. Метод оценки интерфейса передачи данных для датчиков автомобиля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 1. Классификация дефектов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 2. Метод определения дефектов с помощью оптического неразрушающего контроля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
32400,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 4. Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптического контроля и фотолюминесценции
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Методы измерения и оценки приборов, аккумулирующих кинетическую энергию, в практических условиях воздействия вибраций. Часть 1. Произвольная и случайная механическая вибрация
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
40500,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Классификация дефектов в эпитаксиальной пленке из нитрида галлия на карбидокремниевой подложке
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
| Страницы: ... / 21 / 22 / 23 / 24 / 25 / 26 / 27 / 28 / 29 / 30 / 31 / 32 |