| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Кремний для изготовления полупроводников. Определение дефектов и неоднородности кристаллов с помощью рентгенотопографии
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Полупроводники сложные Ш-V. Определение дефектов и неоднородности монокристаллов с помощью рентгенографии
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Пластины полупроводниковые гомогенные, легированные примесью. Бесконтактный метод определения удельного электрического сопротивления с помощью вихревых токов
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение типов и плотности дефектов в эпитаксиальных слоях кремния
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Бесконтактное измерение электрического поверхностного сопротивления полупроводниковых слоев методом вихревых токов
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Бесконтактное измерение удельного электрического сопротивления полуизолированных полупроводниковых дисков с емкостным зондом
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей методом абсорбции инфракрасного излучения. Часть 1. Углерод в арсениде галлия
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей методом абсорбции инфракрасного излучения. Часть 2. Бор в арсениде галлия
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Газы-носители и газы примесные, используемые при изготовлении полупроводников. Определение содержания воды в хлороводороде с помощью фосфорпентоксидной ячейки
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в полупроводниковой технологии. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Часть 9. Определение содержания кислорода, азота, моноксида углерода, диоксида углерода и углеводородов С1 - С3 в газообразном гидрохлориде с помощью газовой хроматографии
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кислота азотная для полупроводниковой технологии. Определение следов серебра, золота и меди спектрометрическим методом атомной абсорбции
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 1. Определение содержания серебра (Ag), золота (Au), кальция (Ca), меди (Cu), железа (Fe), калия (K) и натрия (Na) в азотной кислоте методом атомно-абсорбционной спектрофотометрии
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кислота плавиковая для полупроводниковой технологии. Определение следов кобальта, хрома, меди, железа и никеля методом эмиссионной спектрометрии в плазме
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 2. Определение содержания кальция (Ca), кобальта (Co), хрома (Cr), меди (Cu), железа (Fе), никеля (Ni) и цинка (Zn) в плавиковой кислоте методом эмиссионной спектроскопии с наведенной плазмой
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение следов металла в жидкостях. Определение содержания алюминия, кобальта, меди, натрия, никеля, цинка в азотной кислоте методом ICP-MS
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 3. Определение содержания алюминия (Al), кобальта (Co), меди (Cu), натрия (Na), никеля (Ni) и цинка (Zn) в азотной кислоте с помощью ICP-MS масс-спектрометра с индуцируемой плазмой
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 3. Определение 31 элемента в сверхчистой азотной кислоте методом масс-спектрометрического анализа с индуктивно-связанной плазмой
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 4. Определение 34 элементов в сверхчистой воде масс-спектрометрическим анализом с индуктивно-связанной плазмой
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 5. Руководство по выбору материалов для испытания их соответствия для аппаратуры отбора и приготовления проб для определения микроэлементов в диапазоне микрограмм на килогграмм и нанограмм на килограмм
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 6. Определение 36 элемента в сверхчистом растворе фтористого аммония (NH<(Индекс)>F) и в травильных смесях сверхчистого раствора фтористого аммония, содержащего фтористоводородную кислоту
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
| Страницы: ... / 106 / 107 / 108 / 109 / 110 / 111 / 112 / 113 / 114 / 115 / 116 / 117 / 118 / 119 ... / 184 |