| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Схемы интегральные. Трехмерные интегральные схемы. Часть 1. Терминология
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Схемы интегральные. Трехмерные интегральные схемы. Часть 2. Совмещение многоярусной конструкции кристаллов при монтаже методом перевернутого кристалла
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Схемы интегральные. Трехмерные интегральные схемы. Часть 3. Модель и условия измерений переходных отверстий в кремнии (TSV)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Датчики пьезоэлектрические. Часть 1. Общие технические условия
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Датчики пьезоэлектрические. Часть 1. Общие технические условия
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
32400,00
|
|
|
|
Датчики пьезоэлектрические. Часть 2. Химические и биохимические датчики
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Датчики пьезоэлектрические. Часть 3. Физические датчики
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Формат для совместимого проектирования LSI-пакета и платы
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Формат для совместимого проектирования LSI-пакета и платы
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
72900,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 1. Классификация дефектов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 2. Метод определения дефектов с помощью оптического неразрушающего контроля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
32400,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 4. Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптического контроля и фотолюминесценции
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Аппаратура приемо-передающая для радиосвязи. Технологии радио-по-волокну (radio over fibre) и их нормативные характеристики. Часть 4. Внутренняя распределенная антенная система (DAS) на основе технологии радио-по-волокну для 5G
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Очковые дисплеи. Часть 1-2. Общие положения. Терминология
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Очковые дисплеи. Часть 10. Технические условия
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
32400,00
|
|
|
|
Очки-дисплей. Часть 20-10. Основные методы измерений. Оптические свойства
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
40500,00
|
|
|
|
Очки-дисплей. Часть 20-20. Фундаментальные методы измерений. Качество изображения
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
32400,00
|
|
|
|
Очки-дисплей. Часть 21-20. Специальные методы измерений качества изображения очков виртуальной реальности. Эффект экранной двери
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Очки-дисплей. Часть 22-10. Специальные методы измерений очков дополненной реальности (AR). Оптические свойства
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
32400,00
|
|
| Страницы: ... / 123 / 124 / 125 / 126 / 127 / 128 / 129 / 130 / 131 / 132 / 133 / 134 / 135 / 136 ... / 150 |