| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение дефектов монокристаллов кремния при помощи техники травления на поверхности (111) и (100)
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кремний и германий. Определение радиального изменения удельного электрического сопротивления кремниевых и германиевых дисков методом постоянного тока и четырех зондов
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые неорганические. Определение толщины эпитаксиального слоя кремния методом инфракрасной интерферометрии
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей в кремнии методом инфракрасной абсорбции. Часть 1. Кислород
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей в кремнии методом инфракрасной абсорбции. Углерод
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кремний для полупроводниковых приборов. Определение содержания загрязняющего бора и фосфора методом инфракрасной абсорбции
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кремний для полупроводниковых приборов. Определение содержания загрязняющего бора и фосфора методом инфракрасной асборбции
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые на основе кремния или арсения-галия. Определение профиля концентраций примесей методом напряжения на емкости и ртутного контакта
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение рекомбинационной долговечности носителей заряда в монокристаллах кремния при незначительной инжекции методом фотопроводимости
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кремний для полупроводниковых приборов. Определение рекомбинационной долговечности носителей заряда в прямоугольном образце монокристалла методом фотопроводимости
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Часть 1. Толщина и ее изменение
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Диски полупроводниковые. Определение закругления кромки
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Часть 2. Определение закругления кромки
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Определение отклонения от плоскостности полированных пластин методом многолучевой интерференции
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Диски полупроводниковые. Измерение диаметра и толщины
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Часть 4. Определение диаметра, отклонений диаметра, диаметра, длины и высоты плоского среза
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров.Часть 5. Термины, касающиеся отклонения от формы и плоскостности
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Пластины полупроводниковые монокристаллические, распиленные и подвергнутые доводке. Определение структуры поверхности
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
| Страницы: ... / 105 / 106 / 107 / 108 / 109 / 110 / 111 / 112 / 113 / 114 / 115 / 116 / 117 / 118 ... / 184 |