Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%) в рублях |
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторы. Изменение 1
|
Действует |
На языке оригинала
|
7488,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторы
|
Действует |
На языке оригинала
|
129168,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий: полевые транзисторы с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 ГГц
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы для усилителей мощности с определенными параметрами корпуса
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы с оговоренной температурой корпуса, применяемые для коммутации
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые дискретные. Часть 8-4. Полевые транзисторы метал-оксид- полупроводник, применяемые для переключения мощности
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Изменение 1
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 9. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
|
Действует |
На языке оригинала
|
68328,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 10: Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные схемы
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 10: Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные схемы. Изменение 3
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 11: Частные технические условия на дискретные приборы
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 11: Частные технические условия на дискретные приборы. Изменение 1
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 11: Частные технические условия на дискретные приборы. Изменение 2
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 12: Групповые технические условия на оптоэлектронные приборы
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 12. Оптоэлектронные приборы. Раздел 1. Типовая форма частных технических условий на излучающие диоды светового/инфракрасного диапазона с гибким выводом или без него для волоконно-оптических систем и подсистем
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 12. Оптоэлектронные приборы. Раздел 2. Типовая форма частных технических условий на модули лазерных диодов с гибким выводом для волоконно-оптических систем и подсистем
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 12. Оптоэлектронные приборы. Форма частных технических условий на светодиоды для дисплеев
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
Страницы: ... / 55 / 56 / 57 / 58 / 59 / 60 / 61 / 62 / 63 / 64 / 65 / 66 / 67 / 68 ... / 147 |