| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс автомобилей. Часть 4. Метод оценки интерфейса передачи данных для датчиков автомобиля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
18630,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 1. Классификация дефектов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 2. Метод определения дефектов с помощью оптического неразрушающего контроля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
32400,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 4. Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптического контроля и фотолюминесценции
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Методы измерения и оценки приборов, аккумулирующих кинетическую энергию, в практических условиях воздействия вибраций. Часть 1. Произвольная и случайная механическая вибрация
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
40500,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Методы измерения и оценки устройств для накопления кинетической энергии в реальных условиях вибрации. Часть 2. Маховое движение человеческой руки
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Методы измерения и оценки устройств для накопления кинетической энергии в реальных условиях вибрации. Часть 3. Ударное движение стопы человека
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Классификация дефектов в эпитаксиальной пленке из нитрида галлия на карбидокремниевой подложке
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
25110,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковые приборы для беспроводной передачи энергии и зарядки. Часть 1. Общие требования и спецификации
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
40500,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 1. Метод определения температурной нестабильности смещения
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 2. Метод определения биполярной деградации из-за работы паразитного диода
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
6480,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность нитридгаллиевых транзисторов путем переключения индуктивной нагрузки
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Общее руководство по оценке надежности полупроводниковых приборов. Часть 1. Руководство по оценке надежности интегральных схем
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
45360,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Руководство по планам оценки надежности полупроводниковых приборов. Часть 2. Концепция профиля миссии
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковые приборы для системы Интернета вещей. Часть 1. Метод испытания для обнаружения изменения звука
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Руководство по динамическому испытанию на сопротивление устройств преобразования мощности на основе GaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Тепловая стандартизация корпусов полупроводниковых приборов. Часть 2-1. Трехмерные (3D) тепловые имитационные модели полупроводниковых корпусов для стационарного теплового анализа. Дискретные корпуса
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Тепловая стандартизация корпусов полупроводниковых приборов. Часть 3. Модели моделирования тепловых цепей дискретных корпусов полупроводниковых приборов для анализа переходных процессов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
|
|
Руководство по измерению порогового напряжения (VT) SiC MOSFETs (транзисторов силовой электроники на основе карбида кремния)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
12960,00
|
|
| Страницы: ... / 22 / 23 / 24 / 25 / 26 / 27 / 28 / 29 / 30 / 31 / 32 / 33 |